“光刻将不再非常重要。”一旦出版，这句话就引起了整个行业的极大争议。该句子源自英特尔的高管。光刻机始终被认为是半导体制造的寿命。但是，许多巨型芯片发布的最新信息表明，光刻技术可能不是将来的唯一选择，甚至稀缺的高欧洲冠军也主要是“闲置”状态。高高的EUV光刻机器去年面临着明确的销售，高高的EUV非常受欢迎。根据官方ASML网站，它编制了两个Twinscan Exe：5000个高数量印刷系统。其中之一与IMEC合作开发，将于2024年安装在ASML和IMEC实验室中，并于2025年将其依赖于大规模生产。2018年英特尔订购了另一个，并于2023年12月将ASML正式运送到Intel，将Intel交付给Intel的第一个高级模块。EUV光刻系统，Twinscan Exe：5000。在2024年初，这款光刻机器的主要成分出现在英特尔。 TSMC在11月表示，到今年年底，它将获得ASML最先进的EUV光刻机器。 2025年3月，三星引入了Twinscan Exe：5000在韩国的Hwase Park制造的第一个ASML，该公园成为Intel和TSMC之后购买的第三家半导体制造商。三星决定在未来的DRAM中使用这项技术，其竞争对手SK Hynix也有此计划。但是在实际应用中，巨型芯片被备份到高EUV。在先前的计划中，英特尔可能是使用高图谱机器的第一个公司。最近，英特尔表示，ASML的前两台剪裁光刻机器在其工厂“制造”，数据表明它们比以前的型号更可靠。英特尔使用ASML的高naeuv光刻机器在四分之一内生产30,000个晶片，英特尔高级首席工程师史蒂夫·卡森（Steve Carson）表示，一种大型硅晶片可以生产数千份计算机芯片。英特尔计划使用高NAEUV设备来帮助开发Intel 18A（1.8nm）制造技术，该技术将通过今年晚些时候的新一代PC芯片进行大规模制造。该公司表示，它计划使用高级设备来完全投资于制造下一代制造技术Intel 14A（1.4NM），但没有透露日期NG制造技术。扩展全文 TSMC：高度申请中只有5年的EUV仅通过了5年 TSMC始终是High-euv的相当理性的存在。 此前，TSMC业务发展高级副总经理张木安格（Zhang Xiaoqiang）表示，尽管欣赏了高EUV的能力，但设备的成本超过3.5亿欧元（3.78亿美元）。当前的标准EUV光刻机器仍然可以支持TSMC切割过程的制造。到2026年，切割TSMC A16 WIL的过程l继续使用标准的EUV光刻机器进行劳动。 在最近在阿姆斯特丹举行的欧洲TSMC技术论坛的活动中，Zhang Xiaoqiang再次将他的长期立场置于高EUV光刻机器上，该机器不会在A14（1.4nm）的技术流程中使用高图光刻机器Para。 据报道，技术TSMC团队找到了一种在A14节点中生产芯片的方法，而无需使用EUV光刻机器，该机器提供了8nm的分辨率，而EUV光圈系统的标准低点分辨率为13.5nm。 过去，TSMC表示，它将考虑使用高EUV微型曝光机来生产A10工艺过程，这是在2025年底计划的近两代领导2NM，这也意味着它将仅在2030年以后看到此类机器的质量生产。 三星推迟使用EUV计划，OEM将从1.4nm开始 尽管三星介绍了该公司不急于使用它。 报道说，三星及其竞争对手SK Hynix决定被Finedban罚款，这是EUV的高科技引入了鼓的制作。原因是工具和设备的成本太高，而DRAM架构将要改变，从而使记忆制造商可以为高EUV技术创建更仔细的方法。 根据三星和SK Hynix计划，DRAM建筑的阶段从6f²到4F²，最终是3DDRAM。到2030年，4F²DRAM制造的质量将需要EUV技术处理，并有望使用高EUV工具。但是，与传统的鼓不同，如果是正常的EUV或高高的EUV工具，则3D DRAM通过垂直堆叠增加了晶体管密度，并不一定需要EUV技术，从而消除了对EUV技术的需求。这意味着，即使您投资了一台EUV光刻机器，窗户季节F或制作鼓的实际扩展可能相对较短。 三星还将在逻辑芯片的制造中引入高级技术，并评估1.4nm工艺的使用，并于2027年大众劳动。 蚀刻技术成为新的重点 在半导体制造中，蚀刻是光刻过程中唯一的第二个直接决定芯片性能，产量和整合。尽管高级过程在3nm及以下出现，但蚀刻措施从传统过程的10％提高到50％以上（以5NM FinFET为例，蚀刻数量超过150倍）。 根据投资研究平台Tegus揭示的讨论，一位身份不明的英特尔总监说，将来，晶体管设计将减少p通过光刻中的高级设备，而是增强了蚀刻技术的基本位置。 他认为，在开发新结构时，例如完全围绕门场晶体管和辅助场晶体管（CFET），对高端芯片制造的光刻的一般需求将减弱。 在光刻过程中，ASML EUV和高光刻机将电路的设计转移到晶圆。在处理后过程中，通过去除过程添加材料，然后通过蚀刻过程选择材料以产生晶体管结构。 执行官强调，三维晶体管结构（例如Gaafets和CFET）需要“从各个方向包裹门”，从而使水平去除过多的材料是关键。 “制造商将更多地专注于通过蚀刻过程去除材料，而不是将晶圆处理时间扩大到光刻机器以降低特征尺寸。” 简而言之，随着横向制造方向的重要性，高EUV的重要性不如EUV重要。 同时，芯片蚀刻公司L艾克·林（Ike Lam）将进行更多。 那么光刻机不再重要吗？不。 将来，制作芯片将减少ASML高naeuv光刻机器的希望，但该行业仍然非常需要该设备。 “欧洲光刻在7NM节点技术附近起着关键作用，并且将来将减少这种需求。这不仅是因为我们探索了智能地删除清除材料和操纵方法的智能，而且并不能挤压所有的晶状体 - 使芯片记忆和逻辑芯片制造商不再是希望之间的逻辑芯片制造商之间更多的希望之间或沃夫尔之间的希望之间。 这样做的影响是减少对最小特征大小的依赖 - 毕竟，在垂直尺寸和给定平面中都可以实现高密度的整合。例如，它不再限于“郊区”，而是“摩天大楼”的发展。当构建“摩天大楼”时，对光刻的需求仍然存在，但这并不那么关键当建造“郊区”时（依靠小特征）。我们不仅试图向一个方向压缩它，而且还试图在两个方向上扩展空间。 “ ASML EUV可以多远？ 一旦上面发布了视图，ASML行业的注意力就会提高。 专门针对该行业的主要问题：一个是ASML光刻机器的年度传播；两个是下一代产品开发；三是到ASML的EUV技术多远？至于第一个问题，2024年的ASML财务报告显示，平版印刷机全年出售418个单元，其中44台EUV光刻机器，374张DUV光刻机器和165个测量和测试系统。 在收入资源方面，中国大陆在2024年的ASML贡献了1019.5亿欧元（约合797.1亿元人民币），早些时候高达36.1％。 接下来是韩国，有640.9亿欧元，可提供22.7％；联合统计数据ES拥有4.522亿美元，可提供16.0％；台湾拥有43.54亿欧元，提供15.4％；欧洲拥有13亿欧元，提供4.6％；日本拥有11.56亿欧元，提供4.1％。 ASML指出，市场需求不足和纺织品准备不足导致客户对EUV光刻机器的需求延迟，但是对DVU光刻机器的需求仍然超出了交付能力，尤其是从中国市场上，需求非常强劲。 至于第二个问题，尽管成功启动了High-Naeuv，但ASML和Zeiss还研究了新一代的Hyper EUV光刻系统，数字孔径为0.75。 Jos Benschop说，Hyper EUV光刻系统镜头的目的不一定更大，“您还可以将最后一个玻璃杯放在更靠近芯片的地方，因此您会得到相同的效果。缺点是更多的光反映了背面 - 在镜子中就是这样。” euv hyper也有一个优势大量的光圈可以处理更多的光线，例如比狭窄的脖子瓶更快地宽颈瓶。因此，EUV Hyper不仅可以打印更清晰的线条，而且可以更快地打印。 根据Martin van den Brink先前披露的ASML逻辑设备路线图工艺，使用当前具有0.3NA的EUV光刻机器来支持到2025年的2NM质量生产，此外，它需要通过许多曝光技术实现，但是在2027年之前支持1.4nm的质量生产是限制的。 关于第三个问题，根据研究，市场和数据未来的市场观点，ASML控制着全球EUV光刻市场的75％至80％，其技术不兼容。为所有主要芯片制造商提供产品的ASML实际上垄断了EUV系统领域，该领域几乎有助于其总收入。 ASML的EUV技术已返回芯片制造业，可能会保留在未来的10到20年中至少至关重要。当然，在此过程中，ASML还必须面对行业各方的挑战。 光刻的新技术已经由一个 此外，ASML的EUV光刻计算机当前使用激光等离子体EUV光源（EUV-LPP），但是随着半导体过程的持续促进，EUV-LPP也将面临更多挑战。作为LPP-EUV技术的好东西，近年来，美国，中国，日本和其他国家的研究机构已经开发了基于线性电子加速器的EUV光源（EUV-FEL）系统。该技术使用磁铁来影响电子并可以产生任何长度的光，其光资源功率足以同时支撑10到20的EUV光刻机器。这种方法不仅可以绕过ASML采用的EUV-LPP技术路线，而且大大降低了EUV光资源系统的成本。 ASML也研究ED EUV-FEL技术在2015年左右，尽管它有效，但它不满足当前的需求。由于谷物加速器的尺寸较大，因此不适合当前的晶圆厂。此外，一旦EUV-FEL光源失败或需要维护，连接到光资源的10多个生产线将面临停机时间。对于大多数芯片或铸造厂制造商来说，如果他们在某处只建造了一些晶圆厂，则无需使用这种沉重的光资源。 美国初创公司Xlight报道了希望在2028年将EUV-Feeling Light Resources的原型与ASML机器联系起来。 启动蕾丝光刻（挪威卑尔根）还生成了一种光刻技术，该技术使用在表面上释放的原子来定义特征，其分辨率超过了强烈的UV光刻的限制。 蕾丝·刻尔（Lace Litho）所说的理论上可以实现更精细的特征，这支持了晶体管的持续微型化和摩尔法律的扩展。 trAditional Oneseuv系统的光线以13.5nm的长度使用，通过一系列镜子和口罩对晶片进行模板。原子光刻技术可实现无掩模的直接图案，其分辨率比通过EUV系统的有限长度实现的分辨率要小。 该公司说：“通过使用原子而不是光，我们在15年前以较低的成本和较低的能源消耗提供了15年前的芯片制造商。” 除了上述技术外，还在开发新的光刻技术，例如纳米构图形光刻和电子束光刻机器。 Nanomprint光刻直接通过印记模具将图案直接复制到光震弹天。与传统光刻相比，它将以较低的成本来实现高分辨率模式，并在某些特殊领域使用。电子束光刻机器可以直接将图案绘制到光孔，并具有很高的分辨率和柔韧性是的，特别适合制作小批次，高精度芯片。 尽管ASML目前比成熟的工业链，大量的安装和稳定的客户关系是一个优势，但新兴技术带来的潜在威胁并不能忽略。 NA -PRINT来自：半导体行业Zongheng回到Sohu，看到更多